第21回 PDEAパワーデバイスセミナー

今般の新型コロナウィルス感染拡大のリスクを鑑み、誠に勝手ながら第21回PDEAパワーデバイスセミナーを中止とさせていただきます。
参加をご検討いただきましたお客さまにはご迷惑をおかけし大変申し訳ございまんが、ご了承いただけますようお願い申し上げます。

GaNパワーデバイス～実用化を視野に開発ゴーサイン～

日時: 2020年04月17日　13:00～18:30（名刺交換会含む）
会場: 大阪クリスタルタワー会議室

→交通アクセス
主催: パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）
協賛: （株）アドバンテスト
後援: システム・インテグレーション（株）
東京大学大学院工学系研究科システムデザイン研究センター
一般社団法人日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
ナノテスティング学会
特別協力: （株）産業タイムズ社
参加費: 11,000円（税込）／1名（講演資料含む）
定員: 70名
※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。

企画趣旨

照明用LEDの商品化に大きく貢献してきたGaN。今度は車載をはじめとする次世代パワーデバイスとして、本格的な開発が動き出しています。ワイドバンドギャップ半導体としてはSiCが先行していますが、大電流・高電圧対応や高周波特性、さらには高速動作と電力効率の向上など、SiCを大きく凌駕する材料特性がGaNに見出されたからです。デバイス構造も横型から縦型へ、車載のみならず、様々なアプリケーション用途が浮上してきています。
そこでPDEAではこの新しいパワーデバイスに着目。最新セミナー「GaNパワーデバイス～実用化を視野に開発ゴーサイン～」を企画しました。プログラム構成はデバイスの縦型構造を視野に、結晶成長や製造プロセス、さらには車載を含む様々な新市場を探っていきます。
また新しいビジネスが生まれようとしています。ぜひ同セミナーにご参加いただき、貴社の新戦略構築のための重要情報としてお役立てください。

セミナープログラム

※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。

【講演】 GaNバルク＆エピ結晶成長技術（仮） 13：00－13：50: 講師

（株）サイオクス　事業開拓部　GaNテンプレート事業化PJ　プロジェクトリーダー
藤倉序章氏

【講演】 GaN精密加工技術（仮） 13：50－14：40: 講師

法政大学
太田博氏

【講演】パワーデバイス・イネーブリング協会の取り組み 14：40－14：50: 講師

一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会

休憩 (14：50－15：10)

【講演】 GaN縦型パワーデバイス（仮） 15：10－16：00: 講師

豊田合成（株）
岡徹氏

【講演】 GaNパワーデバイスの応用（仮） 16：00－16：50: 講師

名古屋大学
山本真義氏

講師を囲む名刺交換会 17：00－18：30