PDEAパワーデバイスセミナー
車載パワーエレクトロニクスの現状と課題
- 日時
- 2023年03月08日 13:00~16:40
- 会場
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ステーションコンファレンス東京(605) or オンラインライブ(Webex)東京都千代田区丸の内1-7-12 サピアタワー6F
- 主催
- 一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)
- 協賛
- 株式会社アドバンテスト
- 後援
- システム・インテグレーション株式会社
東京大学大学院工学系研究科システムデザイン研究センター
公益財団法人北九州産業学術推進機構(FAIS)
九州半導体・エレクトロニクスイノベーション協議会(SIIQ)、
ナノテスティング学会、
一般社団法人日本電子デバイス産業協会(NEDIA) - 参加費
- 3,300円(税込)
- 定員
- 会場:20名
オンライン:100名
本セミナーの申込は終了いたしました。
企画趣旨
世界的な環境問題への取組としてカーボンニュートラル社会の実現には高効率変換パワーデバイスへの期待は大きい。
特に高信頼性が要求される車載用パワーデバイスには、デバイスの信頼性以外に、回路技術、実装技術を含めた信頼性が要求される。
本講演では、車載用パワーデバイス、パワーモジュールの最新技術とその信頼性についてお話を頂き、さらに最新のパワー業界の市場動向、特に車載を中心にお話を頂く。
特に高信頼性が要求される車載用パワーデバイスには、デバイスの信頼性以外に、回路技術、実装技術を含めた信頼性が要求される。
本講演では、車載用パワーデバイス、パワーモジュールの最新技術とその信頼性についてお話を頂き、さらに最新のパワー業界の市場動向、特に車載を中心にお話を頂く。
セミナープログラム
※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。
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【講演】 「車載用パワー半導体の技術動向」13:05-13:55
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講師東芝デバイス&ストレージ株式会社 高下 正勝 氏
概要
カーボンニュートラルが社会的に重要視されるようになった昨今、自動車に代表されるモビリティの世界にも電動化の波が押し寄せています。その中でCO2削減に向けてB-EVを筆頭にPHEV、48V MHEVといったxEV車の台数拡大が見込まれています。これらのxEV車には、駆動用モーターのみならず、ボディ系モーターなどのElectric関連システムの技術革新が鍵であり、パワーデバイスの性能改善がシステム改善に大きく貢献しています。本講演では、最先端のSi系MOSFET/IGBT、化合物半導体SiCの最新動向に加えて、MBD(モデルベース開発)の当社状況についてご紹介いたします。
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【講演】 「EVトラクション向け高出力密度インバータ技術」14:00-14:50
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講師株式会社日立製作所 研究開発グループ 徳山 健 氏
概要
脱炭素社会の実現に向け、EVの普及が急速に進められています。EVの課題である航続距離や車内空間の拡大には、インバータの高出力密度化・高効率化が必要です。弊社では、パワー半導体の両面を放熱グリースを介さずに冷却水に放熱する直接水冷型両面冷却パワーモジュールを開発し、これを用いた高出力密度インバータを2013年に量産いたしました。2019年量産の新構造では、パワー半導体のスイッチング速度を制限する配線インダクタンスを、端子を分岐配置して磁界を相殺することで改善し、更なる低損失化を実現しました。また、EVのもう一つの課題である充電時間短縮を実現する高電圧バッテリーシステム対応のインバータも同年に量産開始しております。本講演では、これら製品に用いられている技術ついてご紹介いたします。
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【講演】 「SiCパワーデバイスの現状と、今後これらのデバイスを使用していく上での課題」14:55-15:45
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講師株式会社エルテック 営業本部 箸尾 勝 氏
概要
SiCトランジスタは、1,000Vを超える用途、特に電気自動車のパワートレインで、SiベースのIGBTの代替品として徐々に実用化されつつあります。
今回の講演では、電気自動車搭載のモーターインバーターで使用されるSiC MOSFETの主要メーカー各社の最先端の量産1200V定格SiCパワートランジスタのデバイス構造と電気的評価、デバイスの短絡耐量(SCWT)から、デバイスの現状と、今後これらのデバイスを使用していく上での課題について考察します。
今回の講演では、電気自動車搭載のモーターインバーターで使用されるSiC MOSFETの主要メーカー各社の最先端の量産1200V定格SiCパワートランジスタのデバイス構造と電気的評価、デバイスの短絡耐量(SCWT)から、デバイスの現状と、今後これらのデバイスを使用していく上での課題について考察します。
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【講演】 「パワーデバイスの最新市場動向」15:50-16:40
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講師グロスバーグ合同会社 代表 大山 聡 氏
概要
パワーデバイスは、クルマの電動化によって需要が急増する傾向にある。主要製品であるIGBT/MOSFETは、現状では8インチあるいは6インチウェハでの量産が中心だが、供給が需要に追いついておらず、xEV市場からの需要に対応するためには12インチでの量産が必須となりつつある。また将来的には、シリコン系のIGBT/MOSFETに代わってSiC/GaNなどの化合物系パワーデバイスが台頭する可能性も十分に考えられる。ここでは、車載半導体の不足問題の中心となっているパワーデバイス市場の現状を分析しながら、今後の動向についての見解を述べる。
本セミナーの申込は終了いたしました。