PDEAパワーデバイスセミナー

SiC パワーデバイス　～実用化への現状と課題～

日時: 2022年07月13日　13:30～15:30（終了予定）
会場: オンラインセミナー（Web EX）
主催: 一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会
協賛: 株式会社アドバンテスト
後援: システム・インテグレーション株式会社
東京大学大学院工学系研究科システムデザイン研究センター
一般社団法人日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
ナノテスティング学会（予定）
参加費: 無料
定員: 200名
※定員に達したためお申込みを締め切りました。

本セミナーの申込は終了いたしました。

企画趣旨

　世界的な環境問題への取組としてカーボンニュートラル社会の実現には高効率変換パワーデバイスへの期待は大きい。SiC パワーデバイスの本格的な量産も始まるとされ、それに伴いより大口径なウェハの供給が必要不可欠となる。本講演では SiC パワーデバイスの最新技術から期待される応用分野への展開、そして低コスト化と高品質化へのキーとなる SiC ウェハの結晶成長技術、ウェハ加工技術から、今後の産業化への課題について講演を頂く。

セミナープログラム

※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。

【講演】 SiC パワーデバイスの最新技術とその応用への課題 13:30-14:30: 講師

筑波大学　数理物質系　教授　岩室憲幸氏

概要

　コロナウィルスの全世界的な蔓延により世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを受けたが、2022年になりようやく回復の見込みがみえてきた状況にある。このような中において、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化(xEV)をはじめとした脱炭素社会実現は人類にとって「待った無」の課題であることに変わりはない。xEVをはじめとしたパワエレ製品の性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。本講演では、SiCパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を横にらみしながら、わかりやすく解説したい。

【講演】パワーエレクトロニクス用SiCウェハの技術開発動向と期待 14:30-15:30: 講師

国立研究開発法人産業技術総合研究所
先進パワーエレクトロニクス研究センターウェハプロセスチーム
研究チーム長加藤智久氏

　SiCパワー半導体はここ数年で省エネルギー電力制御機器として各産業分野に実装が進み、SiCウェハ産業も世界的に拡大しつつある。SiCウェハは極めて硬く安定な材料であるため、その素材となるSiC単結晶の成長やウェハ加工はシリコンよりかなり難易度が高い。そのため、国内でのSiCウェハの安定供給を確保する上でも、量産対応、低コスト化、歩留まり改善などのキーワードに関わる技術開発が今後重要である。本セミナーではこういった開発課題に対する新しい取り組みを紹介し、国際競争力の確保、SiCパワーデバイスの普及拡大への期待について議論したい。

本セミナーの申込は終了いたしました。