PDEAパワーデバイスセミナー

次世代高効率電力変換パワーデバイスの現状と応用技術

日時: 2022年02月28日　13:30～
会場: オンラインライブ配信セミナー（Web EX Events）
主催: 一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）
協賛: 株式会社アドバンテスト
後援: システム・インテグレーション株式会社
一般社団法人日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
九州半導体・エレクトロニクスイノベーション協議会（SIIQ）
参加費: 無料
定員: 100名

本セミナーの申込は終了いたしました。

企画趣旨

　世界的にエネルギー問題が顕著となり、各国が共通目標の下、CO2排出の低減、新たなエネルギーの開発などに着手しています。一方、電力変換はほぼ全ての電子機器、インフラ等にも使用する技術であり、高効率電力変換技術は省電力化を実現するためのキーとなります。
本講演では次世代パワーデバイスの最新技術とGaN、SiCの電力変換への応用技術についてご紹介します。

セミナープログラム

※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。

【講演】「GaNパワートランジスター移動体通信応用と電力変換応用ー」 13:30-14:30: 講師

北海道大学　量子集積エレクトロニクス研究センター　教授　橋詰保　氏

概要

GaNはSiCに匹敵する高い絶縁破壊電界を有しており、GaNパワートランジスターはインバータ等の電力変換システムの高効率化・高機能化に寄与することが期待されている。さらに、GaN異種接合を利用する高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、5G無線システムの中枢技術とされるミリ波帯通信における最有力増幅素子である。
本講演では、電力変換用GaN MOSトランジスタと高周波増幅用GaN HEMTの研究開発状況と課題を概説する。

【講演】「SiC-MOSFETを使いこなすインバータ設計技術」 14:30-15:30: 講師

北海道大学　情報科学研究院　教授　小笠原悟司　氏

概要

近年，SiCやGaNといったワイドバンドギャップ半導体を用いたパワー半導体デバイスが開発され，実用化が進められている。
このようなパワー半導体デバイスを用いた電力変換器を実現するためには，デバイス自身の特性を向上することも重要であるが，これらのデバイスの性能を電力変換器において最大限引き出すための「使いこなし技術」も極めて重要である。
本講演では，SiC-MOSFETを用いた電圧形PWMインバータの高効率化を目的として，プリント基板を用いた主回路設計において，(1)配線インダクタンスの最小化，(2)浮遊容量の最小化が可能なパターン設計法とその効果について述べる。

本セミナーの申込は終了いたしました。